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     其实，通过对比的话，碳化硅球与碳化硅在成分方面并没有太大的区别，但碳化硅球具有粒度统一的优点，通过合理的应用碳化硅球，能充分利用碳化硅球，减少对碳化硅球的浪费。然而，由于碳化硅球是由碳化硅粉，碳化硅粒压制而成的，主要组成部分也是碳化硅，所以，为了---碳化硅球的品质，也需要注意碳化硅的品质。

     在冶炼碳化硅时，之所以会出现粗细不均勾，主要在于炉心装置不均匀，硅铁孕育剂咨询有优惠，例如尺寸不均、加压不均、有大块杂物等。另外，硅铁孕育剂价格，炉心下部料密度过低，造成炉心下沉多，易发生下沉不均现象；炉心上部料高度不均造成对，炉心的压力不均等都会引起结晶筒的粗细不均勾。采用小炉心时，这一现象更易发生。

高纯的单晶硅是重要的半导体材料。在开发能源方面是一种很有前途的材料。另外广泛应用的二极管、三极管、晶闸管和各种集成电路（包括我们计算机内的芯片和cpu)都是用硅做的原材料。由于有机硅的结构，兼备了无机材料与有机材料的性能，具有表面张力低、粘温系数小、压缩性高、气体渗透性---基本性质，并具有耐高低温、电气绝缘、耐氧化稳定性、耐候性、难燃、憎水、耐腐蚀、---无味以及生理惰性等优异特性，

硅和锗作为元素半导体，没有化合物半导体那样的化学计量比问题和多组元提纯的复杂性，因此在工艺上比较容易获得高纯度和高完整性的si、ge单晶，硅的禁带宽度比锗大，所以相对于锗器件而言硅器件的结漏电流比较小，工作温度比较高(250℃)硅材料的原料供给可以说是取之不尽的。

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